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B2M040120Z國產替代C3M0040120K

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  • 主營產品|Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國產SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模塊,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,IGBT模塊,英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產替代,安森美SiC碳化硅MOSFET國產替代,ST碳化硅MOSFET國產替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅國產替代
  • 公司地區|廣東/深圳市
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有效期至長期有效 最后更新2023-07-04 08:28
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B2M040120Z國產替代C3M0040120K

 專業分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半導體碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT單管,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊,單通道隔離驅動芯片BTD5350,雙通道隔離驅動芯片BTD21520,單通道隔離驅動芯片(帶VCE保護)BTD3011,BASiC基本半導體混合SiC-IGBT三電平模塊應用于光伏逆變器,雙向AC-DC電源,戶用光伏逆變器,戶用光儲*體機,儲能變流器,儲能PCS,雙向LLC電源模塊,儲能PCS-Buck-Boost電路,光儲*體機,PCS雙向變流器,三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲等新能源*域。在光伏逆變器、光儲*體機、儲能變流器PCS、OBC車載充電器,熱管理電動壓縮機驅動器,射頻電源,PET電力電子變壓器,氫燃料空壓機驅動,大功率工業電源,工商業儲能變流器,變頻器,變槳伺服驅動輔助電源,高頻逆變焊機,高頻伺服驅動等*域與客戶戰略合作,全力支持中國電力電子工業發展!
 
專業分銷基本半導體全碳化硅MOSFET模塊,Easy封裝全碳化硅MOSFET模塊,62mm封裝全碳化硅MOSFET模塊,Full SiC Module,SiC MOSFET模塊適用于超*充電樁,V2G充電樁,高壓柔性直流輸電智能電網(HVDC),空調熱泵驅動,機車輔助電源,儲能變流器PCS,光伏逆變器,超高頻逆變焊機,超高頻伺服驅動器,高速電機變頻器等. 光伏逆變器專用直流升壓模塊BOOST Module-光伏MPPT,PV Inverter交流雙拼 ANPC 拓撲逆變模塊。儲能PCS變流器ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,光儲碳化硅MOSFET。
 
基本半導體再度亮相**功率半導體展會——PCIM Europe 2023,在德國紐倫堡正式發布*二代碳化硅MOSFET新品。新*代產品性能大幅提升,產品類型進*步豐富,助力新能源汽車、直流快充、光伏儲能、工業電源、通信電源等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。
 
碳化硅MOSFET具有**的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子*域*受關注的寬禁帶功率半導體器件。在電力電子系統中應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可提高功率回路開關頻率,提升系統效率及功率密度,降低系統綜合成本。
 
基本半導體*二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發,比上*代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性等方面表現更為出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封裝的產品基礎上,基本半導體還推出了帶有輔助源*的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封裝的碳化硅MOSFET器件,以更好地滿足客戶需求。
 
基本半導體*二代碳化硅MOSFET亮點
更低比導通電阻:*二代碳化硅MOSFET通過綜合優化芯片設計方案,比導通電阻降低約40%,產品性能顯著提升。
 
更低器件開關損耗:*二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了約60%,開關損耗降低了約30%。反向傳輸電容Crss降低,提高器件的抗干擾能力,降低器件在串擾行為下誤導通的風險。
 
更高可靠性:*二代碳化硅MOSFET通過更高標準的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,產品可靠性表現出色。
 
更高工作結溫:*二代碳化硅MOSFET工作結溫達到175°C,提高器件高溫工作能力。
 
基本半導體*二代碳化硅SiC MOSFET主要有B2M065120H,B2M065120Z,B2M065120R,B2M040120H,B2M040120Z,B2M040120R,B2M035120YP,B2M020120H,B2M020120Z,B2M020120R,B2M1000170H,B2M1000170Z,B2M1000170R,B2M0242000Z。適用大功率電力電子裝置的SiC MOSFET模塊,半橋SiC MOSFET模塊,ANPC三電平碳化硅MOSFET模塊,T型三電平模塊,MPPT BOOST SiC MOSFET模塊。
B2M030120Z國產替代英飛凌IMZA120R030M1H,安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z國產替代英飛凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP,B2M040120Z國產替代英飛凌IMZA120R040M1H,安森美NTH4L040N120M3S,NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z國產替代英飛凌IMZA120R020M1H,安森美NTH4L020N120SC1,NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R國產代替英飛凌IMBF170R1K0M1,安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H國產代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z國產代替英飛凌IMZ120R060M1H,安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
 
NPC(Neutral Point Clamped)三電平拓撲結構是*種應用為廣泛的多電平拓撲結構。近年來隨著電力電子技術在電力行業的發展,NPC三電平技術開始越來越多的應用到各個*域,包括光伏逆變器、風電變流器、高壓變頻器、UPS、APF/SVG、高頻電源等都有著廣泛的應用。NPC拓撲常用的有兩種結構,就是我們常說的“I”字型(也稱NPC1)和“T”字型(也稱NPC2、MNPC、TNPC、NPP等)。另外ANPC也是*種NPC1的改進型,這些年隨著器件的發展,ANPC也開始有*些適合的應用。
 
在分時電價完善、峰谷電價差拉大、限電事件頻發等多重因素驅動下,工商業儲能的經濟性明顯提升。工商業儲能是用戶側儲能系統的主要類型之*,可以大化提升光伏自發自用率,降低工商業業主的電費開支,助力企業節能減排。
工商業儲能裝機有望在政策鼓勵、限電刺激、電價改革等利好因素刺激下進入高速增長期,復合增速有望持續飆升。 
 
品牌信息

專業分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,BASiC基本半導體碳化硅功率器件,BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊,BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊,BASiC基本半導體單管IGBT,BASiC基本半導體IGBT模塊,BASiC基本半導體三電平IGBT模塊,BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊,BASiC基本

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品牌名稱 新銳晶科技(深圳)有限公司 經營模式
注冊資本未填寫 注冊時間2017
所在地廣東/深圳市 企業類型企業單位 ()
保 證 金已繳納 0.00
主營行業電工電氣網  , 
主營產品或服務Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國產SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,碳化硅SiC MOSFET模塊,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,I型NPC1三電平IGBT模塊,T型NPC2三電平IGBT模塊,IGBT模塊,英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產替代,安森美SiC碳化硅MOSFET國產替代,ST碳化硅MOSFET國產替代,CREE wolfspeed SiC碳化硅國產替代
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